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| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城
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| 一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 刘祥林; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲
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| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| 硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄昌俊; 邓晓清; 成步文; 王红杰; 杨沁清; 余金中; 胡雄伟; 王启明
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| 键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 王占国
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| 一种制备半导体衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨沁清; 李成; 欧海燕; 王红杰; 王启明
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| 一种对半导体材料进行霍尔测试的装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910244534.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李弋洋; 李成基; 曾一平
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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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| 平面相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华
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