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硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  黄昌俊;  邓晓清;  成步文;  王红杰;  杨沁清;  余金中;  胡雄伟;  王启明
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硅基二氧化硅阵列波导光栅的优化设计及其偏振性能的数值模拟 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
Authors:  邓晓清
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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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硅基二氧化硅波导的应力和偏振相关性的数值分析 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 1196-1200
Authors:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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硅基二氧化硅波导的双折射效应补偿理论分析 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 1303-1307
Authors:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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采用TEOS和H_2O源PECVD方法生长氧化硅厚膜（英文） 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 543
Authors:  雷红兵;  王红杰;  邓晓清;  杨沁清;  胡雄伟;  王启明;  廖左升;  杨基南
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反应蒸发制备nmSi-SiO_x发光薄膜 期刊论文
真空科学与技术学报, 1999, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 13
Authors:  张仕国;  樊瑞新;  邓晓清;  袁骏;  陈伟
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