中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共57条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1477/246  |  提交时间：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1344/200  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  林郭强;  曾一平;  王晓亮;  刘宏新
Adobe PDF(907Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：912/301  |  提交时间：2010/11/23
碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1488/233  |  提交时间：2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1256/227  |  提交时间：2009/06/11
一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1334/197  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
Adobe PDF(238Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：657/186  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1228/386  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, JS (Jin, Jinshuang);  Welack, S (Welack, Sven);  Luo, JY (Luo, JunYan);  Li, XQ (Li, Xin-Qi);  Cui, P (Cui, Ping);  Xu, RX (Xu, Rui-Xue);  Yan, YJ (Yan, YiJing);  Jin, JS, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Chem, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: jinjs@ust.hk;  yyan@ust.hk
Adobe PDF(221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1152/356  |  提交时间：2010/03/29
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1233/193  |  提交时间：2009/06/11