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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Le, L. C.;  Zhao, D. G.;  Jiang, D. S.;  Li, L.;  Wu, L. L.;  Chen, P.;  Liu, Z. S.;  Yang, J.;  Li, X. J.;  He, X. G.;  Zhu, J. J.;  Wang, H.;  Zhang, S. M.;  Yang, H.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen P (Chen, P.);  Feng MX (Feng, M. X.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Liu ZS (Liu, Z. S.);  Li L (Li, L.);  Wu LL (Wu, L. L.);  Le LC (Le, L. C.);  Zhu JJ (Zhu, J. J.);  Wang H (Wang, H.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Le LC (Le, L. C.);  Zhao DG (Zhao, D. G.);  Jiang DS (Jiang, D. S.);  Zhang SM (Zhang, S. M.);  Yang H (Yang, H.);  Li L (Li, L.);  Wu LL (Wu, L. L.);  Chen P (Chen, P.);  Liu ZS (Liu, Z. S.);  Li ZC (Li, Z. C.);  Fan YM (Fan, Y. M.);  Zhu JJ (Zhu, J. J.);  Wang H (Wang, H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang C (Yang C.);  Cui GX (Cui G. X.);  Huang YY (Huang Y. Y.);  Wu L (Wu L.);  Yang H (Yang H.);  Zhang YH (Zhang Y. H.)
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InGaN太阳能电池及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19
发明人:  李亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  吴亮亮;  乐伶聪;  杨辉
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改进p-GaN薄膜欧姆接触的材料结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01
发明人:  吴亮亮;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  李亮;  乐伶聪;  杨辉
Adobe PDF(477Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：639/104  |  提交时间：2014/11/24
含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：820/105  |  提交时间：2014/11/24