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倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人:  尹小杰;  王 玥;  吴远大;  安俊明;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
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采用非平面工艺制备硅线波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
发明人:  安俊明;  吴远大;  李建光;  李俊一;  胡雄伟
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紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
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在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡卫国;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林
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氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  冉学军;  肖红领;  王翠梅;  胡国新;  唐健;  罗卫军
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混合集成单纤三向器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡雄伟;  安俊明;  吴远大;  李建光;  王红杰
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马志勇;  王晓亮;  冉军学;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  罗卫军
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宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  马志勇;  胡国新;  肖红领;  冉军学;  王翠梅;  罗卫军
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采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李建光;  王红杰;  吴远大;  胡雄伟
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具有大绝对带隙的二维光子晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  龚春娟;  胡雄伟
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