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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yan Jun-Da; Wang Quan; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Jiang Li-Juan; Yin Hai-Bo; Feng Chun; Wang Cui-Mei; Qu Shen-Qi; Gong Jia-Min; Zhang Bo; Li Bai-Quan; Wang Zhan-Guo; Hou Xun
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: WAN Xiao-Jia, WANG Xiao-Liang, XIAO Hong-Ling, WANG Cui-Mei, FENG Chun, DENG Qing-Wen, QU Shen-Qi, ZHANG Jing-Wen3, HOU Xun, CAI Shu-Jun, FENG Zhi-Hong
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: LI Zhi-Dong, XIAO Hong-Ling, WANG Xiao-Liang, WANG Cui-Mei, DENG Qing-Wen, JING Liang, DING Jie-Qin, WANG Zhan-Guo, HOU Xun
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| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊
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| 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 彭恩超; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 肖红领; 彭恩超; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-29
发明人: 王晓亮; 彭恩超; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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