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透明导电氧化物CuMO2的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  方志杰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱东海;  王占国;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  金才政;  丛立方;  胡雄伟;  韩勤;  方祖捷;  刘斌;  屠玉珍
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
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一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
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