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| 砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 韩勤; 张石勇; 吴东海; 赵欢; 杨晓红 ; 彭红玲; 周志强; 熊永华; 吴荣汉
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| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉
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| 可提高砷化铝氧化均匀性的外延片承载装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 佟存柱; 牛智川; 韩勤; 杜云; 吴荣汉
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| 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 徐晓华; 倪海桥; 徐应强; 韩勤; 吴荣汉
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| 气态束源炉瞬态开关控制真空装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 倪海桥; 徐晓华; 徐应强; 张纬; 韩勤; 吴荣汉
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| 可用于单光子探测的平面型雪崩二极管探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 杨怀伟; 李彬; 韩勤
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| 在电子束曝光前对涂有光刻胶的晶片进行聚焦调节的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010102016.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王秀平; 杨晓红; 韩勤
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| 一种提高电子束曝光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201513.0, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王秀平; 杨晓红; 韩勤; 王杰; 刘少卿
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| 一种制作可调谐共振腔增强型探测器中间P型电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263067.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王杰; 韩勤; 杨晓红; 王秀平; 刘少卿
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| 用于电子束光刻胶PMMA的显影液及其配制方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010101998.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 王秀平; 杨晓红; 韩勤
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