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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 柴春林 Adobe PDF(291Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1178/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟 Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1029/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 聚光太阳电池的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈诺夫; 白一鸣; 王晓晖; 梁平; 陆大成 Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1255/201  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在硅衬底上采用磁控溅射法制备氮化铝材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨霏; 陈诺夫 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1108/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1045/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城 Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:937/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郑厚植; 李桂荣; 杨富华 Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1294/165  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1060/166  |  提交时间:2009/06/11 |