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作者:  Hou QF (Hou Qi-Feng);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Xiao;  HL (Xiao Hong-Ling);  Wang CM (Wang Cui-Mei);  Yang CB (Yang Cui-Bai);  Li JM (Li Jin-Min);  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qfhou@semi.ac.cn
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  肖红领;  王翠梅;  杨翠柏;  李晋闽
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p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张小宾;  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  冉军学;  王翠梅;  李晋闽
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