|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪 ; 姚然; 王兵; 梁萌; 李璟; 王国宏; 李晋闽
 Adobe PDF(992Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1919/302 | 提交时间：2012/09/09 |
| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(260Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1464/259 | 提交时间：2011/08/31 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(1092Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1595/306 | 提交时间：2012/09/09 |
| 用于MOCVD系统中控制外延片发光波长及均匀性的装置与方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(602Kb) | 收藏 | 浏览/下载：809/83 | 提交时间：2014/11/05 |
| 优化配置的多腔室MOCVD反应系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 纪攀峰; 马平; 王军喜; 胡强; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(633Kb) | 收藏 | 浏览/下载：757/87 | 提交时间：2014/11/05 |
| 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠; 张连; 宋昌斌; 姚然; 薛斌; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
Adobe PDF(338Kb) | 收藏 | 浏览/下载：822/104 | 提交时间：2014/11/05 |
| 植物补光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 谢海忠,宋昌斌; 姚然; 卢鹏志; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(436Kb) | 收藏 | 浏览/下载：674/96 | 提交时间：2014/11/05 |
| 用于金属有机气相沉积设备的进气喷头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 冉军学; 胡强; 梁勇; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
Adobe PDF(1437Kb) | 收藏 | 浏览/下载：677/42 | 提交时间：2014/10/31 |
| 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(458Kb) | 收藏 | 浏览/下载：712/100 | 提交时间：2014/10/31 |
| 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
Adobe PDF(393Kb) | 收藏 | 浏览/下载：771/115 | 提交时间：2014/10/31 |
