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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Z (Liu Zhe);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Wang JX (Wang Jun-Xi);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Guo LC (Guo Lun-Chun);  Li JM (Li Jin-Min);  Liu, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuzhe@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang H (Yang Hua);  Zhu HL (Zhu Hong-Liang);  Pan JQ (Pan Jiao-Qing);  Feng W (Feng Wen);  Xie HY (Xie Hong-Yun);  Zhou F (Zhou Fan);  An X (An Xin);  Bian J (Bian Jing);  Zhao LJ (Zhao Ling-Juan);  Chen WX (Chen Wei-Xi);  Wang W (Wang Wei);  Yang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yanghua@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨华;  朱洪亮;  潘教青;  冯文;  谢红云;  周帆;  安欣;  边静;  赵玲娟;  陈娓兮;  王圩
Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1262/294  |  提交时间：2010/11/23