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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2006 [45]
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共45条,第1-10条
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
第一作者的第一单位
第一作者单位
通讯作者单位
发表日期:2006
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1233/193
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提交时间:2009/06/11
生长氧化物薄膜的金属有机物化学气相沉积反应室结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
丛光伟
;
刘祥林
;
董向芸
;
魏宏源
;
王占国
Adobe PDF(846Kb)
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浏览/下载:1079/155
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提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:1191/179
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提交时间:2009/06/11
用于电调制光致发光光谱测量的样品架
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
丛光伟
;
彭文琴
;
吴洁君
;
魏宏源
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(485Kb)
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浏览/下载:1168/189
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提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:967/142
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提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:988/153
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提交时间:2009/06/11
蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郭伦春
;
王晓亮
;
王军喜
;
肖红领
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1197/206
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提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:960/183
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提交时间:2009/06/11
Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Lei W
;
Chen YH
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Huang XQ
;
Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1430/261
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提交时间:2010/03/29
Lateral Intersubband Photocurrent
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11