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| SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人: 杜彦东; 韩伟华; 颜伟; 张严波; 杨富华
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| 利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人: 颜伟; 杜彦东; 韩伟华; 杨富华
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
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| 4输入查找表、FPGA逻辑单元和FPGA逻辑块 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176673A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 韩小炜; 陈陵都
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| 一种挡光式微机电可变光衰减器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 毛旭; 吕兴东; 魏伟伟; 杨晋玲; 杨富华
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| 阵列型微机电可变光衰减器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 毛旭; 吕兴东; 魏伟伟; 杨晋玲; 杨富华
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| 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| 一种基于体硅材料的无结硅纳米线晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-06
发明人: 李小明; 韩伟华; 张严波; 颜伟; 杜彦东; 陈燕坤; 杨富华
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| 采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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