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作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
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SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
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利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  裴为华
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半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
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硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
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基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
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高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李越强;  刘雯;  王晓东;  陈燕玲;  杨富华
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对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘雯;  李越强;  王晓东;  陈燕凌;  杨富华
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一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人:  李越强;  王晓东;  徐晓娜;  刘雯;  陈燕玲;  杨富华
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