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| 基于键合工艺的Si/SiC界面特性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 王风旋
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王栎皓
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| 无权访问的条目 学位论文
作者: 王天昀
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 唐海马; 郑中山; 张恩霞; 于芳 ; 李宁; 王宁娟; 李国花; 马红芝
Adobe PDF(1182Kb) | 收藏 | 浏览/下载：982/259 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang HM; Zheng ZS; Zhang EX; Yu F; Li N; Wang NJ; Li GH; Ma HZ; Zheng, ZS, Univ Jinan, Dept Phys, Jinan 250022, Peoples R China. zszheng513@163.com
Adobe PDF(1182Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1087/289 | 提交时间：2011/07/06 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan; Ji An; Yang Fuhua
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| 基于电子束曝光技术的硅纳米线器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王颖
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| 依赖晶面的三维限制硅纳米结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224109.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨香; 韩伟华; 王颖; 张杨; 杨富华
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| 一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 樊晶美; 王良臣; 刘志强
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