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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan ; Ji An; Yang Fuhua
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平
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| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华
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| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华
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| 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宁瑾; 李永梅; 韩国威; 杨富华
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| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳
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| 半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人: 张严波; 韩伟华; 杜彦东; 李小明; 陈艳坤; 杨香; 杨富华
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| 硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人: 韩伟华; 陈燕坤; 李小明; 张严波; 杜彦东; 杨富华
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