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生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Chen TS;  Jiao G;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn;  cmwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang XL;  Wang CM;  Hu GX;  Wang JX;  Ran JX;  Fang CB;  Li JP;  Zeng YP;  Li JM;  Liu XY;  Liu J;  Qian H;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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