中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Yang, FH
Adobe PDF(947Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：559/76  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, YD;  Han, WH;  Yan, W;  Xu, XN;  Zhang, YB;  Wang, XD;  Yang, FH;  Cao, HZ;  Jin, F;  Dong, XZ;  Zhao, ZS;  Duan, XM;  Liu, Y
Adobe PDF(1588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1088/357  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  熊莹;  张仁平;  杨富华
Adobe PDF(531Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3233/1392  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：720/83  |  提交时间：2012/06/14
SiO2/SiN双层钝化层T型栅AlGaN/GaN HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102437182A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07
发明人:  杜彦东;  韩伟华;  颜伟;  张严波;  杨富华
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1698/383  |  提交时间：2012/09/07
利用光子束超衍射技术制备半导体T型栅电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157361A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-08-17, 2012-09-07
发明人:  颜伟;  杜彦东;  韩伟华;  杨富华
Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1288/336  |  提交时间：2012/09/07
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  裴为华
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1787/278  |  提交时间：2011/08/31
半导体晶体管结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280454A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-12-14, 2012-09-07
发明人:  张严波;  韩伟华;  杜彦东;  李小明;  陈艳坤;  杨香;  杨富华
Adobe PDF(941Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1417/342  |  提交时间：2012/09/07
硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102201483A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-28, 2011-09-28, 2012-09-07
发明人:  韩伟华;  陈燕坤;  李小明;  张严波;  杜彦东;  杨富华
Adobe PDF(547Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1406/343  |  提交时间：2012/09/07
基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091405.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  韩伟华;  熊莹;  赵凯;  杨香;  张严波;  王颖;  杨富华
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1103/84  |  提交时间：2011/08/31