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InAlN薄膜MOCVD外延生长研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 609-613
Authors:  贠利君;  魏同波;  刘乃鑫;  闫建昌;  王军喜;  李晋闽
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一种制备氮化物单晶衬底的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  段瑞飞;  刘喆;  钟兴儒;  魏同波;  马平;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 530-533
Authors:  林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
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AlGaN基UV—LED的研究与进展 期刊论文
功能材料与器件学报, 2007, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 95-100
Authors:  魏同波;  王军喜;  闫建昌;  李晋闽
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蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 902-908
Authors:  马平;  魏同波;  段瑞飞;  王军喜;  李晋闽;  曾一平
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Si基外延GaN的结构和力学性能 期刊论文
材料研究学报, 2007, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 409-413
Authors:  魏同波;  王军喜;  刘喆;  李晋闽
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MOCVD生长GaN力学性能研究 期刊论文
稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
Authors:  魏同波;  王军喜;  李晋闽;  刘酷;  段瑞飞
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
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