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面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
作者:  刘胜北
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
Adobe PDF(856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：713/141  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, B;  Lu, YW;  Huang, Y;  Liu, GP;  Zhu, QS;  Wang, ZG
Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：999/331  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du, Y.D.;  Cao, H.Z.;  Yan, W.;  Han, W.H.;  Liu, Y.;  Dong, X.Z.;  Zhang, Y.B.;  Jin, F.;  Zhao, Z.S.;  Yang, F.H.;  Duan, X.M.;  Han, W.H.(weihua@semi.ac.cn)
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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
Adobe PDF(429Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1295/250  |  提交时间：2012/09/07
具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：629/1  |  提交时间：2016/08/30
材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(323Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：648/3  |  提交时间：2016/09/28