中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  张扬;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖
Adobe PDF(447Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1512/270  |  提交时间：2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张扬;  闫发旺;  高海永;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  李晋闽
Adobe PDF(561Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2852/218  |  提交时间：2009/06/11
单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1486/246  |  提交时间：2009/06/11
生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1350/200  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
Adobe PDF(1039Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/167  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, SM;  Yan, F;  Zhang, XW;  You, JB;  Wu, PY;  Lu, JM;  Xu, QF;  Xia, XW;  Ma, GL;  Yan, F, Suzhou Univ, Sch Chem & Chem Engn, Key Lab Organ Synth Jiangsu Prov, Suzhou 215123, Peoples R China. 电子邮箱地址: fyan@suda.edu.cn
Adobe PDF(579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1508/487  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Ran, JX;  Wang, CM;  Hou, QF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Zhang, XB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xbzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1427/423  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, CB;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Zhang, XB;  Hua, GX;  Ran, JX;  Wang, CM;  Li, JP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Yang, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Jia 35,Qinghua Dong Rd,POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/394  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu NH;  Hasen QQG;  Zhang HG;  Wen JM;  Xie L;  Zhu NH Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: nhzhu@semi.ac.cn;  hasen@semi.ac.cn;  zhhg@semi.ac.cn;  jmwen@semi.ac.cn;  xiel@semi.ac.cn
Adobe PDF(1532Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1119/352  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, LL;  Yan, FW;  Gao, HY;  Zhang, HX;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Li, JM;  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
Adobe PDF(945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1029/297  |  提交时间：2010/03/08