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无权访问的条目 期刊论文
作者:  L. Hu;  L. Q. Yu;  P. Xiong;  X. L. Wang;  J. H. Zhao;  L. F. Wang;  Z. Huang;  W. B. Wu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan, F;  Wang, HL;  He, JF;  Wang, J;  Huang, SS;  Ni, HQ;  Niu, ZC
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhan F;  Wang HL;  He JF;  Wang JA;  Huang SS;  Ni HQ;  Niu ZC;  Zhan, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. zhf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang X (Huang X.);  Zhang XH (Zhang X. H.);  Zhu YG (Zhu Y. G.);  Li T (Li T.);  Han LF (Han L. F.);  Shang XJ (Shang X. J.);  Ni HQ (Ni H. Q.);  Niu ZC (Niu Z. C.);  Zhang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinhuiz@semi.ac.cn
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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