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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jian-Xia Wang;  Lian-Shan Wang;  Qian Zhang;  Xiang-Yue Meng;  Shao-Yan Yang;  Gui-Juan Zhao;  Hui-Jie Li;  Hong-Yuan Wei;  Zhan-Guo Wang
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：280/1  |  提交时间：2016/03/29
非极性a-GAN的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  王建霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Jian-Xia, Yang Shao-Yan, Wang Jun, Liu Gui-Peng, Li Zhi-Wei, Li Hui-Jie, Jin Dong-Dong, Liu Xiang-Lin, Zhu Qin-Sheng, Wang Zhan-Guo
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：505/98  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin, Dong-Dong;  Yang, Shao-Yan;  Zhang, Liu-Wan;  Li, Hui-jie;  Zhang, Heng;  Wang, Jian-xia;  Yang, Tao;  Xiang-LinLiu;  Zhu, Qin-Sheng;  Wang, Zhan-Guo
Adobe PDF(545Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：703/183  |  提交时间：2014/03/17
制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：909/103  |  提交时间：2014/12/25
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王建霞;  李志伟;  赵桂娟;  桑玲;  刘长波;  魏鸿源;  焦春美;  杨少延;  刘祥林;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：923/98  |  提交时间：2014/10/29
利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:  刘长波;  赵桂娟;  桑玲;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1880Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：778/33  |  提交时间：2014/10/28
制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(376Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：876/105  |  提交时间：2014/10/24
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  项若飞;  汪连山;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  张恒;  冯玉霞;  焦春美;  魏鸿源;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1070Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：686/1  |  提交时间：2016/09/12