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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Xiaoqing;  Li, Yang;  Liu, Jianming;  Wei, Hongyuan;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Wang, Zhanguo;  Wang, Huanhua
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非极性A-GaN薄膜的MOCVD生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  刘建明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Zhiwei;  Zhang, Biao;  Wang, Jun;  Liu, Jianming;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo;  Li, Z.(lizhiwei@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song HP (Song Huaping);  Guo Y (Guo Yan);  Yang A (Yang Anli);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Xu XQ (Xu Xiaoqing);  Liu JM (Liu Jianming);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Liu XL (Liu Xianglin);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Song, HP, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人:  刘建明;  桑玲;  赵桂娟;  刘长波;  王建霞;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  杨少延;  王占国
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