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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2003
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40
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WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
高速A/D转换器中无冗余位的数字校正方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
石寅
;
李志刚
;
李拥平
;
朱荣华
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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浏览/下载:1574/630
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan RF
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Zeng Y
;
Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)
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浏览/下载:1165/354
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qiu ZJ
;
Jiang CP
;
Gui YS
;
Shu XZ
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
;
Qiu ZJ,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,State Key Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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浏览/下载:1071/310
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提交时间:2010/08/12
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Feng G
;
Shen XM
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1248/308
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提交时间:2010/10/29
Buffer Layer
Substrate
Diodes
Growth
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1374/302
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提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LJ
;
Zhu MF
;
Liu FZ
;
Liu JL
;
Han YQ
;
Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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浏览/下载:922/241
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提交时间:2010/08/12
Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system
会议论文
THIN SOLID FILMS, 430 (1-2), DENVER, COLORADO, SEP 10-13, 2002
作者:
Zhang Q
;
Zhu M
;
Wang L
;
Liu E
;
Zhu M Chinese Acad Sci Dept Phys Grad Sch POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
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浏览/下载:1236/238
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
Deposition
无权访问的条目
期刊论文
作者:
He J
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
;
Liu FQ
;
Zhu TW
;
He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:925/233
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
;
Song SF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:935/302
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提交时间:2010/08/12