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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  左然;  张红;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  左然;  张红;  刘祥林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  游小丽;  王勇刚;  薛迎红;  曹士英;  张志刚;  柴路;  王清月;  孙虹;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张富强;  陈诺夫;  杨瑞霞;  魏怀鹏;  刘祥林;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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