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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [15]
作者
王杰 [2]
文献类型
期刊论文 [14]
专利 [1]
发表日期
2002 [15]
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发表日期:2002
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期刊影响因子降序
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄大定
;
李建平
;
高斐
;
林燕霞
;
孙殿照
;
刘金平
;
朱世荣
;
孔梅影
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Li XQ
;
Cen LX
;
Huang GX
;
Ma L
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Han P
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Li YF
;
Yuan HR
;
Lu Y
;
Bing LD
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Wang XF
;
Yan L
;
Chen Z,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Yu XY
;
Zhang HY
;
Han P
;
Li XQ
;
Yan YJ
;
Yan YJ,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Chem,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: yyan@ust.hk
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li XQ
;
Hu CY
;
Cen LX
;
Zheng HZ
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Zhang HY
;
Li XQ
;
Han P
;
Yu XY
;
Yan YJ
;
Yan YJ,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Chem,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Li XQ
;
Yan Y
;
Li XQ,Hong Kong Univ Sci & Technol,Dept Chem,Kowloon,Hong Kong,Peoples R China.
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期刊论文
作者:
Li XQ
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Li XQ
;
Yan YJ
;
Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:754/209
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
严清峰
;
余金中
;
刘忠立
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提交时间:2010/11/23