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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
段瑞飞 [1]
魏同波 [1]
肖红领 [1]
王保柱 [1]
王晓燕 [1]
文献类型
专利 [7]
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [10]
语种
中文 [8]
英语 [2]
出处
APPLIED SU... [1]
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发表日期:2006
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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘喆
;
王军喜
;
钟兴儒
;
李晋闽
;
曾一平
;
段瑞飞
;
马平
;
魏同波
;
林郭强
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浏览/下载:1555/189
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提交时间:2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(335Kb)
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浏览/下载:1230/193
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提交时间:2009/06/11
改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:1190/179
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提交时间:2009/06/11
双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
王翠梅
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:967/142
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提交时间:2009/06/11
提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王翠梅
;
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
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浏览/下载:987/153
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提交时间:2009/06/11
蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郭伦春
;
王晓亮
;
王军喜
;
肖红领
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1194/206
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提交时间:2009/06/11
铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
王翠梅
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang CM (Wang Cuimei)
;
Wang XL (Wang Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu Guoxin)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Li HP (Li Jianping)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xlwang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:2186/326
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao, HY (Gao, Haiyong)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Yan, JC (Yan, Jianchang)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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浏览/下载:1243/412
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
郭伦春
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
曾一平
;
李晋闽
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提交时间:2010/11/23