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无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶楠;  姜震宇;  刘扬;  赵玲娟;  王圩
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一种制备稀磁半导体薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期:  
发明人:  姜丽娟
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GaN基高居里温度稀磁半导体的制备和性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  姜丽娟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu ZJ;  Jiang CP;  Gui YS;  Shu XZ;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ;  Zeng YP;  Zhu ZP;  Wang BQ;  Qiu ZJ,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,State Key Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  蒋春萍;  桂永胜;  疏小舟;  郭少令;  褚君浩;  崔利杰;  曾一平;  朱战平;  王保强
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带有准光子晶体波导的量子级联激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010175432.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  尹雯;  陆全勇;  张伟;  刘峰奇;  张全德;  刘万峰;  江宇超;  李路;  刘俊岐;  王利军;  王占国
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短波长光栅面发射量子级联激光器结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231191.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  江宇超;  刘俊岐;  陆全勇;  张伟;  郭万红;  李路;  刘峰奇;  王利军;  王占国
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垂直发射量子级联激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171511.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭万红;  刘俊岐;  陆全勇;  张伟;  江宇超;  李路;  王利军;  刘峰奇;  王占国
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制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓亮;  张明兰;  肖红领;  王翠梅;  唐健;  冯春;  姜丽娟
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氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  王晓亮;  毕杨;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2061/447  |  提交时间:2012/08/29