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1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  封松林;  杨富华;  王晓东;  汪辉;  李树英;  苗振华;  李树深
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磁性半导体/半导体异质液相外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  杨君玲;  何宏家;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Fu Y;  Xia JS;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Shen XM;  Zhao DG;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(98Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1102/406  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Wang J;  Zhao DG;  Feng G;  Fu Y;  Zhang SM;  Zhang ZH;  Feng ZH;  Bai YX;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1123/382  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Fu Y;  Feng G;  Zhang BS;  Feng ZH;  Wang YT;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zheng XH;  Fu Y;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(120Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1214/332  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Fu Y;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Shen XM;  Zhao DG;  Zheng XH;  Duan LH;  Li BC;  Zhang SM;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨君玲;  陈诺夫;  叶小玲;  何宏家
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭进;  胡冰;  胡承勇;  卞松保;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张秀兰;  张富强;  宋书林;  陈诺夫;  王占国;  胡文瑞;  林兰英
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