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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  冉军学;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘喆;  王军喜;  李晋闽;  刘宏新;  王启元;  王俊;  张南红;  肖红领;  王晓亮;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高兴国;  刘超;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  冉军学;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷;  张永兴;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  肖红领;  王晓亮;  张南红;  王军喜;  刘宏新;  韩勤;  曾一平;  李晋闽
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