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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1326/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1074/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1227/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1117/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:999/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(256Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:990/140  |  提交时间:2009/06/11 |
| 同轴封装半导体激光器陶瓷插针 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王欣; 祝宁华; 袁海庆 Adobe PDF(257Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:945/144  |  提交时间:2009/06/11 |
| 带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张洪波; 韦欣; 朱晓鹏; 王国宏; 马骁宇 Adobe PDF(475Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1175/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 单光子探测装置的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:992/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Ma BS; Su FH; Ding K; Li GH; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW; Ma, BS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. Adobe PDF(132Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1170/303  |  提交时间:2010/03/17 |