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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, YS (Peng, Yin-Sheng);  Xu, B (Xu, Bo);  Ye, XL (Ye, Xiao-Ling);  Niu, JB (Niu, Jie-Bin);  Jia, R (Jia, Rui);  Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang B;  Xu YQ;  Zhou ZQ;  Hao RT;  Wang GW;  Ren ZW;  Niu ZC;  Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1247/374  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC;  Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
Adobe PDF(481Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1100/306  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, D;  Wang, H;  Wu, B;  Ni, H;  Huang, S;  Xiong, Y;  Wang, P;  Han, Q;  Niu, Z;  Tangring, I;  Wang, SM;  Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, ZQ;  Xu, YQ;  Hao, RT;  Tang, B;  Ren, ZW;  Niu, ZC;  Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方志丹;  崔碧峰;  黄社松;  倪海桥;  邢艳辉;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
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Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文
Ultrafast Phenomena in Semiconductors and Nanostructure Materials X丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Jose, CA, JAN 23-25, 2006
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gainnas/gaas Quantum Wells  Optical Properties  Nonradiative Recombination Effect  Time-resolved Photoluminescence  Pl Decay Dynamics  Pl Thermal Quenching  Molecular-beam Epitaxy  Gaasn Alloys  Excitation