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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [11]
作者
韩培德 [2]
文献类型
会议论文 [11]
发表日期
2002 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [8]
语种
英语 [11]
出处
SEMICONDUC... [3]
BLUE LASER... [1]
DISPLAY DE... [1]
INTEGRATED... [1]
INTEGRATED... [1]
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知识图谱
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
1.5 mu m DFB integrated with vertical tapered spotsize converter fabricated by selective MOVPE
会议论文
INTEGRATED OPTICS: DEVICES, MATERIALS, AND TECHNOLOGIES VI, 4640, SAN JOSE, CA, FEB 21-23, 2002
作者:
Qiu WB
;
Dong J
;
Zhang JY
;
Zhou F
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Qiu WB Chinese Acad Sci Natl Res Ctr Optoelect Technol Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Spotsize Converter
Selective Area Growth
Butt-joint
Wave-guide
Lasers
In situ annealing treatment and In-doping of GaN epilayers grown by MOVPE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 221, SAPPORO, JAPAN, JUN 05-09, 2000
作者:
Lu DC
;
Wang CX
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat & Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1344/179
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提交时间:2010/11/15
Gan
Annealing Treatment
In-doping
Movpe
Photoluminescence
Chemical-vapor-deposition
Phase Epitaxy
Buffer Layer
Films
Sapphire
650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Chen LH
;
Ma XY
;
Guo L
;
Ma J
;
Ding HY
;
Cao Q
;
Wang LM
;
Zhang GZ
;
Yang YL
;
Wang GH
;
Tan MQ
;
Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Dvd
Laser Diode
Visible
Algainp
Mocvd
Operation
Diodes
Growth and characterization of GaN on LiGaO2 and LiAlO2
会议论文
BLUE LASER AND LIGHT EMITTING DIODES II, CHIBA, JAPAN, SEP 29-OCT 02, 1998
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Han PD
;
Lu DC
;
Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Diodes
Growth of Fe doped semi-insulating InP by LP-MOCVD
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yan XJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Xu GY
;
Zhou F
;
Ma CH
;
Wang XJ
;
Tian HL
;
Zhang JY
;
Wu RH
;
Wang QM
;
Yan XJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semi-insulating
Fe-doped
Mocvd
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
;
Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor Lasers
Oxidation
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang LM
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhang XY
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Dvd