650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD
Chen LH; Ma XY; Guo L; Ma J; Ding HY; Cao Q; Wang LM; Zhang GZ; Yang YL; Wang GH; Tan MQ; Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
1999
会议名称SPIE Conference on Photonics Technology into the 21st Century - Semiconductors, Microstructures, and Nanostructures
会议录名称PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899
页码367-373
会议日期DEC 01-03, 1999
会议地点SINGAPORE, SINGAPORE
出版地1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA
出版者SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
ISSN0277-786X
ISBN0-8194-3501-5
部门归属chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要Main application of 650nm band laser diodes are for digital versatile disk (DVD). We demonstrate here the 650nm AlGaInP LD grown by LP-MOCVD with the structure of selected buried ridge waveguide. Excellent performance of LD have been achieved such as threshold current, threshold current density as low as 20mA and 350A/cm(2) respectively at room temperature, the operating temperature up to 90 for the linear power output of 5mw. RIN is about -130db/Hz, The samples of LD have been certified by PUH manufacturers.
关键词Dvd Laser Diode Visible Algainp Mocvd Operation Diodes
学科领域光电子学
主办者SPIE.; Nanyang Technol Univ.; SPIE, Singapore Chapter.; Inst Phys.; USAF, Asian Off Aerosp Res & Dev.; USA, Res Off Far E.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13761
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Chen LH,Ma XY,Guo L,et al. 650nm AlGaInP quantum well lasers for the application of DVD[C]. 1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING,1999:367-373.
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