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应用于5G通信的Doherty功率放大器的设计 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  程培森
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. Y. Zhou;  R. Zhang;  J. P. Sun;  Y. L. Zou;  D. Zhang;  W. K. Lou;  F. Cheng;  G. H. Zhou;  F. Zhai;  Kai Chang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  边程浩;  石寅;  倪卫宁;  景为平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  薛海韵;  苏少坚;  白安琪;  罗丽萍;  俞育德;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  胡强;  魏同波;  段瑞飞;  羊建坤;  霍自强;  卢铁城;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fang C (Fang Cheng);  Wang ZG (Wang Zhi-Gang);  Li SS (Li Shu-Shen);  Zhang P (Zhang Ping);  Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang-ping@iap.cm.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  成步文;  薛春来;  罗丽萍;  韩根全;  曾玉刚;  薛海韵;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding WC;  Hu D;  Zheng J;  Chen P;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Ding, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wcd04@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xin, P (Xin Ping);  Sun, CW (Sun Cheng-Wei);  Qin, FW (Qin Fu-Wen);  Wen, SP (Wen Sheng-Ping);  Zhang, QY (Zhang Qing-Yu);  Zhang, QY, Dalian Univ Technol, State Key Lab Mat Modificat Laser Ion & Elect Bea, Dalian 116024, Peoples R China. 电子邮箱地址: qyzhang@dlut.edu.cn
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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