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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘媛媛;  王俊;  李伟;  罗鸿;  李秀芳;  周秀宁;  刘素平;  马骁宇
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High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Wang ZM;  Wang LM;  He GP;  Yang YL;  Zhang HQ;  Zhou XN;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ingaasp  Strained Layer Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  周洁;  封松林;  卢励吾;  司承才;  李言谨;  胡晓宁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周洁;  封松林;  卢励吾;  司承才;  李言谨;  胡晓宁
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