High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
Ma XY; Cao Q; Wang ST; Guo L; Wang ZM; Wang LM; He GP; Yang YL; Zhang HQ; Zhou XN; Chen LH; Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
1998
会议名称Semiconductor Lasers III
会议录名称SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547
页码8-11
会议日期SEP 16-18, 1998
会议地点BEIJING, PEOPLES R CHINA
出版地1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA
出版者SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING
ISSN0277-786X
ISBN0-8194-3008-0
部门归属chinese acad sci, inst semicond, beijing 100083, peoples r china
摘要High performance uncooled 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well (SL-QW) lasers grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) were reported in this paper. Whole MOCVD over growth method were applied in this work. The threshold currents of 5mA and the highest lasing temperature of 122 degrees C were obtained.
关键词Ingaasp Strained Layer Quantum Well Laser Diode Mocvd
学科领域半导体物理
主办者SPIE.; COS.; COEMA.
收录类别CPCI-S
语种英语
文献类型会议论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13881
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
通讯作者Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
推荐引用方式
GB/T 7714
Ma XY,Cao Q,Wang ST,et al. High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method[C]. 1000 20TH ST, PO BOX 10, BELLINGHAM, WA 98227-0010 USA:SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING,1998:8-11.
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