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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李稚博
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| 蓝宝石图形衬底上GaN低温成核层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者: 吴猛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱; 颜翠英; 王晓亮
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| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
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| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑
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