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| 折射面入光探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人: 廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩
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| AlInGaN四元合金的MOCVD生长及InGaN/AlInGaN LED器件性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 刘乃鑫
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| GaN/AlN多量子阱MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 马志芳
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| 与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 卢国军
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| 长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 梁松
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张爽; 赵德刚; 刘宗顺; 朱建军; 张书明; 王玉田; 段俐宏; 刘文宝; 江德生; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张立群; 张书明; 江德生; 朱建军; 赵德刚; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林孟喆; 曹青; 颜廷静; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 胡礼中; 王维维
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周梅; 赵德刚
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