SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
折射面入光探测器的制作方法
廖栽宜; 张云霄; 周 帆; 赵玲娟; 王 圩
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-23 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract一种折射面入光探测器的制作方法,制作过程包括如下步骤:步骤1:在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构;步骤2:在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触;步骤3:在p型欧姆接触的周边向下刻蚀,形成探测器台面结构;步骤4:在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层;步骤5:在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层,形成条形掩模图形结构;步骤6:在掩膜图形结构上,采用化学腐蚀的方法,向下腐蚀出燕尾槽;步骤7:腐蚀掉器件表面的第一SiO2层,重新在整个器件的表面生长第二SiO2层;步骤8:在燕尾槽中填入聚合物,使得材料表面平整;腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层;步骤9:在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极;步骤10:将衬底减薄,在衬底的背面制作金属电极;步骤11:清除掉燕尾槽中的聚合物,解理芯片,完成整个器件的制作。
Application Date2008-06-18
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810115183.6
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13450
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
廖栽宜,张云霄,周 帆,等. 折射面入光探测器的制作方法[P]. 2010-08-12.
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