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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1108/23  |  提交时间：2015/12/08
锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei M;  Wang XL;  Pan X;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Wang ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. mengw@semi.ac.cn
Adobe PDF(269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1747/628  |  提交时间：2011/09/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Lin DF;  Jiang LJ;  Feng C;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1751/593  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, M;  Wang, XL;  Pan, X;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Hou, QF;  Wang, ZG;  Wei, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Mat Sci Ctr, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,mengw@semi.ac.cn
Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1313/516  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun LL (Sun Lili);  Liu C (Liu Chao);  Li JM (Li Jianming);  Wang JX (Wang Junxi);  Yan FW (Yan Fawang);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li Jinmin);  Sun, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lilisun@semi.ac.cn
Adobe PDF(505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1205/303  |  提交时间：2010/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao J;  Hu LZ;  Zhao, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. jiezhao_sub@163.com
Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：961/284  |  提交时间：2011/07/05