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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 李稚博
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| 低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 闫果果
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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者: 曹可慰
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锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵杰; 曾一平
Adobe PDF(500Kb) | 收藏 | 浏览/下载：4536/1431 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wei LM; Gao KH; Liu XZ; Zhou WZ; Cui LJ; Zeng YP; Yu G; Yang R; Lin T; Shang LY; Guo SL; Dai N; Chu JH; Austing DG; Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
Adobe PDF(1261Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1269/214 | 提交时间：2012/01/06 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou WZ (Zhou W. Z.); Lin T (Lin T.); Shang LY (Shang L. Y.); Yu G (Yu G.); Gao KH (Gao K. H.); Zhou YM (Zhou Y. M.); Wei LM (Wei L. M.); Cui LJ (Cui L. J.); Zeng YP (Zeng Y. P.); Guo SL (Guo S. L.); Chu JH (Chu J. H.); Zhou, WZ, E China Normal Univ, Minist Educ, Key Lab Polar Mat & Devices, Shanghai 200062, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhouwz@mail.sitp.ac.cn; jhchu@mail.sitp.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
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| GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 1997
作者: 王晓亮
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| InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究 学位论文
, 西安: 中国科学院研究生院, 1995
作者: 王晓亮
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