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GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究
王晓亮
学位类型博士后
导师孔梅影
1997
学位授予单位中国科学院研究生院
学位授予地点北京
学位专业材料物理与化学
学科领域半导体材料
公开日期2013-12-30
文献类型学位论文
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24464
专题半导体材料科学中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓亮. GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,1997.
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