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基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李稚博
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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
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锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
GaN材料及InGaAs/InP量子阱结构材料的GSMBE生长及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 1997
作者:  王晓亮
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InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究 学位论文
, 西安: 中国科学院研究生院, 1995
作者:  王晓亮
Adobe PDF(15045Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1354/31  |  提交时间：2013/12/30