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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Mode Coupling and Directional Emission in Mirocylinder Lasers
会议论文
22ND IEEE INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR LASER CONFERENCE: 119-120 2010, Kyoto, JAPAN, SEP 26-30, 2010
作者:
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang SJ (Wang Shi-Jiang)
;
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Lin JD (Lin Jian-Dong)
;
Che KJ (Che Kai-Jun)
;
Xiao JL (Xiao Jin-Long)
;
Du Y (Du Yun)
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提交时间:2011/07/14
Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Li, Y
;
Yi, XY
;
Wang, XD
;
Guo, JX
;
Wang, LC
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Led
Plasma
Damage
Etch
Icp
Pecvd
Zinc phthalocyanine (ZnPc) incorporated into silicon matrix grown by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
会议论文
PROCEEDINGS OF ISES SOLAR WORLD CONGRESS 2007, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 18-21, 2007
作者:
Zhang, CS
;
Wang, ZG
;
Shi, MJ
;
Peng, WB
;
Diao, HW
;
Liao, XB
;
Long, GL
;
Zeng, XB
;
Zhang, CS, CAS, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Photovoltaic Applications
Cells
Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells
会议论文
SOLAR ENERGY MATERIALS AND SOLAR CELLS, Bangkok, THAILAND, JAN 27-FEB 01, 2004
作者:
Zhang S
;
Liao X
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Xu Y
;
Kong G
;
Aguas H
;
Ferreira I
;
Martins R
;
Zhang, S, New Univ Lisbon, Fac Sci & Technol, CENIMAT, Dept Mat Sci, P-2829516 Caparica, Portugal. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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提交时间:2010/03/29
Silicon
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
A practical package technique for FBG-based temperature independent sensor
会议论文
20047TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Tian, K
;
Liu, YL
;
Wang, QM
;
Tian, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Gratings
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Optical study of localized and delocalized states in GaAsN/GaAs
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS - 2003, 798, Boston, MA, DEC 01-05, 2003
作者:
Xu ZY
;
Luo XD
;
Yang XD
;
Tan PH
;
Yang CL
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Xu ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Gaas1-xnx
Photoluminescence
Relaxation
Lasing of CdSSe quantum dots in glass spherical microcavity
会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:
Lu SL
;
Jia R
;
Jiang DS
;
Li SS
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical study of electronic states in GaAsN
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Luo XD
;
Yang CL
;
Huang JS
;
Xu ZY
;
Liu J
;
Ge WK
;
Zhang Y
;
Mascarenhas A
;
Xin HP
;
Tu CW
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond NLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Temperature Photoluminescence
Quantum-well
Alloys
Relaxation
Gaas1-xnx