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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures  In-doping  2deg  Electron Sheet Density  X-ray Diffraction  Etching  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Phase Epitaxy  Mobility  Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han PD;  　 (　)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  杨海峰;  杨辉;  林耀望;  张泽;  李新峰;  周增圻
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang HF;  Han PD;  Cheng LS;  Zhang Z;  Duan SK;  Teng XG;  Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(1003Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：948/224  |  提交时间：2010/08/12