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锗锡和锗铅合金材料能带调控的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  黄文奇
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四族合金半导体  能带调控  第一性原理  
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
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Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiaodong Zhang;  Xiangbo Zeng;  Shuwei Zhang;  Fengqi Liu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  F. Liang;  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  Z. J. Zhao;  Z. S. Liu;  J. J. Zhu;  J. Yang;  W. Liu;  X. G. He;  X. J. Li;  X. Li;  S. T. Liu;  H. Yang;  J. P. Liu;  L. Q. Zhang;  Y. T. Zhang;  G. T. Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng Liang;  Ping Chen;  De-Gang Zhao;  De-Sheng Jiang;  Zhi-Juan Zhao;  Zong-Shun Liu;  Jian-Jun Zhu;  Jing Yang;  Wei Liu;  Xiao-Guang He;  Xiao-Jing Li;  Xiang Li;  Shuang-Tao Liu;  Hui Yang;  Li-Qun Zhang;  Jian-Ping Liu;  Yuan-Tao Zhang;  Guo-Tong Du
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  F. Liang;  P. Chen;  D. G. Zhao;  D. S. Jiang;  Z. J. Zhao;  Z. S. Liu;  J. J. Zhu;  J. Yang;  L. C. Le;  W. Liu;  X.G. He;  X. J. Li;  X Li;  S. T Liu;  H. Yang;  J. P. Liu;  L. Q. Zhang;  Y. T. Zhang;  G. T. Du
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