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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Z. Fu; Z. G. Yin; X. W. Zhang; N. F. Chen; Y. J. Zhao; Y. M. Bai; D. Y. Zhao; H. F. Zhang; Y. D. Yuan; Y. N. Chen; J. L. Wu; J. B. You
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Bai YM; Zhang H ; Wang J; Chen NF; Yao JX; Huang TM; Zhang XW; Yin ZG; Fu Z; Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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| 图案化纳米模板及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010520234.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 董敬敬; 张兴旺; 尹志岗; 谭海仁; 高云; 张曙光; 白一鸣
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉
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| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳
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